BSC019N04LSTATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N04LSTATMA1 por Infineon e BSC0921NDIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N04LSTATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,21 $0,68
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 25V (N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] 31 A (per channel, package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Fichas técnicas e recursos

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