BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N08NS5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,78 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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