BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC019N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.78 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |