BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC023N08NS5SCATMA1 von Infineon und BSC050NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC023N08NS5SCATMA1 BSC050NE2LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 25V (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 58 A
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C — 39 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5 mOhm
R_DS(on) typical at V_GS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 28 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern