BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC023N08NS5SCATMA1 por Infineon e BSC050NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC023N08NS5SCATMA1 BSC050NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 25V (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 58 A
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C — 39 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5 mOhm
R_DS(on) typical at V_GS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 28 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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