BSC026N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC026N04LSATMA1 von Infineon und BSC014N04LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC026N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A 31 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Channel Type N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

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