BSC026N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC026N04LSATMA1 par Infineon et BSC014N04LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC026N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A 31 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

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