BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und IAUC60N04S6L039ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (trench)
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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