BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon y IAUC60N04S6L039ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N04LSGATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Disipación de potencia (TC=25°C) 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (trench)
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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