BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N04LSGATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L039ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N04LSGATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (trench)
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fiches techniques et ressources

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