BSC027N04LSGATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und IPB017N10N5LFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $4,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
MSL-Level 1 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

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