BSC027N04LSGATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N04LSGATMA1 par Infineon et IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N04LSGATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $4,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Boîtier / Format — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Fiches techniques et ressources

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