BSC027N04LSGATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon e IPB017N10N5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC027N04LSGATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $4,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Dissipação de potência (TC=25°C) 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Fichas técnicas e recursos

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