BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC033N08NS5SCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N10NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,10 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W 136 W
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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