BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC033N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N10NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 NRND 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.10 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W 136 W
パッケージ PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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