BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC0902NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N10NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,10 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W 48 W
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (Tj)
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) JEDEC qualified for target applications
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datenblätter & Ressourcen

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