BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC0902NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC027N10NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 NRND 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.10 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W 48 W
パッケージ PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (Tj)
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) JEDEC qualified for target applications
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
ハロゲンフリー — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

データシート&リソース

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