BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon y BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N10NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,10 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W 48 W
Encapsulado PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (Tj)
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) JEDEC qualified for target applications
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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