BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC100N10NSFGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N10NS5ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,10 $1,49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) MOSFET (Metal Oxide)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
Gehäuse PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Datenblätter & Ressourcen

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