BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon и BSC100N10NSFGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon

BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon

BSC100N10NSFGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N10NS5ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $1,49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) MOSFET (Metal Oxide)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
Корпус PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (junction)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену