BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | NRND | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,10 | $1,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +150C (junction) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |