BSC032N04LSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSC032N04LSATMA1 von Infineon und IPB038N12N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSC032N04LSATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,32 | $1,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS trench MOSFET |
| Gehäuse | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | -55°C to +175°C | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Gehäuse / Bauform | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |