BSC032N04LSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC032N04LSATMA1 por Infineon y IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC032N04LSATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,32 | $1,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS trench MOSFET |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55°C to +175°C | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Encapsulado / Carcasa | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |