BSC034N06NSATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC034N06NSATMA1 von Infineon und BSC030N03MSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC034N06NSATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,43
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

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