BSC034N06NSATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC034N06NSATMA1 por Infineon e BSC030N03MSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC034N06NSATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,43
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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