BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC036NE7NS3GATMA1 von Infineon und IPB020NE7N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC036NE7NS3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status ROHS3 Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

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