BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon e IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC036NE7NS3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação