BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC040N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC072N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC040N10NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,93 $0,46
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 139 W 69 W
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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