BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC040N10NS5ATMA1 par Infineon et BSC072N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC040N10NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,93 $0,46
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 139 W 69 W
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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