BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC047N08NS3GATMA1 von Infineon und BSC060N10NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Aktiv
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC047N08NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Part Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — [DATA_NEEDED: halogen status]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

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