BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC047N08NS3GATMA1 от Infineon и BSC060N10NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC047N08NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (Tj) —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Part Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Рабочая температура перехода — -55 C to +150 C
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Без галогенов — [DATA_NEEDED: halogen status]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену