BSC050N03LSGATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC050N03LSGATMA1 von Infineon und IPD35N10S3L26ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Channel Type N-Channel —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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