BSC050N03LSGATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC050N03LSGATMA1 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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