BSC050N03LSGATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC050N03LSGATMA1 por Infineon e IPD35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Channel Type N-Channel —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

Fichas técnicas e recursos

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