BSC050NE2LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC050NE2LSATMA1 von Infineon und BSZ036NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC050NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,42
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 58 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C 39 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5 mOhm —
R_DS(on) typical at V_GS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 28 W —
Technology OptiMOS 25V (trench) —
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
MSL-Level — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

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