BSC050NE2LSATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC050NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 BSZ036NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC050NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $0.42
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 58 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C 39 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5 mOhm —
R_DS(on) typical at V_GS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 28 W —
Technology OptiMOS 25V (trench) —
패키지 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
MSL 레벨 — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

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