BSC054N04NSGATMA1 vs IRF8736TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC054N04NSGATMA1 von Infineon und IRF8736TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC054N04NSGATMA1 IRF8736TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

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