BSC054N04NSGATMA1 vs IRF8736TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC054N04NSGATMA1 por Infineon y IRF8736TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC054N04NSGATMA1 IRF8736TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

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