BSC060P03NS3EGATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC060P03NS3EGATMA1 von Infineon und BSC084P03NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC060P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,24
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) 100 A 78.6 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 83 W 69 W
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
MSL-Level — 1 (unlimited)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern