BSC060P03NS3EGATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon e BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC060P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,24
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) 100 A 78.6 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 83 W 69 W
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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