BSC060P03NS3EGATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon y BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC060P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,24
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) 100 A 78.6 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 83 W 69 W
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +150C
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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