BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N04NDATMA1 von Infineon und BSC019N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N04NDATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Gehäuse — PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Avalanche Rated — Yes

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