BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon e BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N04NDATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Encapsulamento — PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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