BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N04NDATMA1 par Infineon et BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N04NDATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Boîtier — PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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