BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon und BSC047N08NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N06NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS Compliance Compliant —
Halogenfrei Yes (per Infineon product page) —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Datenblätter & Ressourcen

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