BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon e BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N06NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) —
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product page) —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

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