BSC0911NDATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0911NDATMA1 von Infineon und BSC0902NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0911NDATMA1 BSC0902NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
Gehäuse PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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