BSC0911NDATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0911NDATMA1 par Infineon et BSC0902NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0911NDATMA1 BSC0902NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
Boîtier PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fiches techniques et ressources

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