BSC0921NDIATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0921NDIATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0921NDIATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Gehäuse PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern