BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC098N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC190N15NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC098N10NS5ATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,98
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

Datenblätter & Ressourcen

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